Багато проектів апаратних інженерів завершуються на платі з отворами, але існує явище випадкового з’єднання позитивних і негативних клем джерела живлення, що призводить до спалювання багатьох електронних компонентів, і навіть вся плата знищується, і вона повинна знову зварити, я не знаю, який хороший спосіб це вирішити?
Перш за все, необережність неминуча, хоча лише розрізнити позитивний і негативний два дроти, червоний і чорний, можна підключити один раз, ми не зробимо помилок; Десять підключень не підуть не так, але 1000? А як щодо 10 000? Зараз важко сказати, через нашу недбалість, що призвело до згоряння деяких електронних компонентів і чіпів, основною причиною є те, що струм занадто великий, компоненти посла зламані, тому ми повинні вжити заходів, щоб запобігти зворотному підключенню .
Зазвичай використовуються такі методи:
01 схема захисту від реверсу серії діодів
Прямий діод з’єднаний послідовно на позитивному вході потужності, щоб повністю використовувати характеристики діода прямої провідності та зворотного відсічення. За нормальних обставин вторинна трубка проводить провідність, а друкована плата працює.
Коли джерело живлення змінюється, діод відключається, джерело живлення не може утворити петлю, а друкована плата не працює, що може ефективно запобігти проблемі з джерелом живлення.
02 Схема захисту від реверсу типу випрямного моста
Використовуйте випрямний міст, щоб змінити вхідну потужність на неполярну, незалежно від того, підключено чи перевернуто джерело живлення, плата працює нормально.
Якщо на кремнієвому діоді падіння тиску становить приблизно 0,6–0,8 В, то на германієвому діоді тиск також падає приблизно на 0,2–0,4 В, якщо падіння тиску занадто велике, МОП-трубку можна використовувати для антиреакційної обробки, перепад тиску трубки MOS дуже малий, до кількох міліом, а перепад тиску майже незначний.
03 Схема захисту трубки MOS від реверсу
Завдяки вдосконаленню процесу, її власним властивостям та іншим факторам її внутрішній опір провідності невеликий, багато з них мають міліомний рівень або навіть менше, тому падіння напруги в ланцюзі, втрати потужності, спричинені ланцюгом, є особливо малими або навіть незначними. , тому для захисту схеми краще вибрати МОП-трубку.
1) Захист NMOS
Як показано нижче: у момент увімкнення живлення паразитний діод трубки MOS вмикається, і система утворює петлю. Потенціал джерела S становить приблизно 0,6 В, тоді як потенціал затвора G дорівнює Vbat. Напруга відкриття трубки MOS надзвичайно висока: Ugs = Vbat-Vs, затвор високий, ds NMOS увімкнено, паразитний діод замкнутий накоротко, і система утворює петлю через доступ ds NMOS.
Якщо джерело живлення реверсовано, напруга ввімкнення NMOS дорівнює 0, NMOS відключається, паразитний діод змінюється, а схема від’єднується, таким чином формуючи захист.
2) захист PMOS
Як показано нижче: у момент увімкнення живлення паразитний діод трубки MOS вмикається, і система утворює петлю. Потенціал джерела S становить приблизно Vbat-0,6 В, тоді як потенціал затвора G дорівнює 0. Напруга відкриття трубки MOS надзвичайно висока: Ugs = 0 – (Vbat-0,6), затвор поводиться як низький рівень , ds PMOS увімкнено, паразитний діод замкнутий накоротко, і система утворює петлю через доступ ds PMOS.
Якщо джерело живлення змінюється, напруга увімкнення NMOS більше 0, PMOS відключається, паразитний діод змінюється, і схема від’єднується, таким чином формуючи захист.
Примітка: трубки NMOS підключають ds до негативного електрода, трубки PMOS під’єднують ds до позитивного електрода, а паразитний діод спрямований у напрямку правильно під’єднаного струму.
Доступ до полюсів D і S трубки MOS: зазвичай, коли використовується трубка MOS з каналом N, струм зазвичай входить від полюса D і витікає з полюса S, а PMOS входить, а D виходить з S полюса, і навпаки, коли в цьому ланцюзі застосовано, умова напруги трубки MOS задовольняється через провідність паразитного діода.
Трубка MOS буде повністю ввімкнена, доки між полюсами G і S буде встановлено відповідну напругу. Після проведення це схоже на те, що перемикач замкнутий між D і S, і струм є однаковим опором від D до S або S до D.
У практичних застосуваннях G-полюс, як правило, з’єднаний із резистором, і щоб запобігти виходу з ладу трубки MOS, також можна додати діод стабілізатора напруги. Конденсатор, підключений паралельно до дільника, має ефект плавного пуску. У момент, коли починає протікати струм, конденсатор заряджається, і напруга G-полюса поступово зростає.
Для PMOS, у порівнянні з NOMS, Vgs має бути більшим за порогову напругу. Оскільки напруга відкриття може становити 0, різниця тиску між DS не велика, що є більш вигідним, ніж NMOS.
04 Захист запобіжником
Багато звичайних електронних продуктів можна побачити після відкриття частини блоку живлення з запобіжником, у блоці живлення зворотне, є коротке замикання в ланцюзі через великий струм, а потім запобіжник перегорає, грає роль у захисті ланцюга, але цей спосіб ремонту та заміни є більш клопітким.
Час публікації: 08 липня 2023 р
